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微光顯微鏡EMMI漏電定位技術(shù)原理

時(shí)間:2023-02-10  點(diǎn)擊次數(shù):3565

微光顯微鏡EMMI是半導(dǎo)體失效分析中漏電定位的重要工具。

具備高靈敏度的CCD,可偵測(cè)到組件中電子-電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光子,能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在 350 nm ~ 1340 nm 左右。

 1、EMMI可廣泛應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流,包括閘極氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電放電破壞(ESD Failure)、閂鎖效應(yīng)(Latch Up)、漏電(Leakage)、接面漏電(Junction Leakage) 、順向偏壓(Forward Bias)及在飽和區(qū)域操作的晶體管,可藉由EMMI定位,找熱點(diǎn)(Hot Spot 或找亮點(diǎn))位置,進(jìn)而得知缺陷原因,幫助后續(xù)進(jìn)一步的失效分析。

2、砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同,都是用來(lái)偵測(cè)故障點(diǎn)定位,尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具,其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別在于InGaAs可偵測(cè)的波長(zhǎng)較長(zhǎng),范圍約在900nm到1340nm之間,等同于紅外線的波長(zhǎng)區(qū) (EMMI則是在350nm-1100nm)。

3、激光束電阻異常偵測(cè)(OpticaBeam Induced Resistance Change,以下簡(jiǎn)稱(chēng)OBIRCH),以雷射光在芯片表面(正面或背面) 進(jìn)行掃描,在芯片功能測(cè)試期間,OBIRCH 利用雷射掃瞄芯片內(nèi)部連接位置,并產(chǎn)生溫度梯度,藉此產(chǎn)生阻值變化,并經(jīng)由阻值變化的比對(duì),定位出芯片Hot Spot(亮點(diǎn)、熱點(diǎn))缺陷位置。

4、ThermaEMMI是利用InSb材質(zhì)的偵測(cè)器,接收故障點(diǎn)通電后產(chǎn)生的熱輻射分布,藉此定位故障點(diǎn)(熱點(diǎn)、亮點(diǎn)Hot Spot)位置,同時(shí)利用故障點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的時(shí)間差,即能預(yù)估芯片故障點(diǎn)的深度位置。

 


 

 

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